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专利信息

光探测器外延片及其制备方法和应用【异议或纠错】

档案编号： CQ-069-4765-3961
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请公开了一种光探测器外延片及其制备方法和应用,涉及半导体光电子器件技术领域。本申请的光探测器外延片包括：磷化铟衬底层；磷化铟缓冲层；收集层；悬崖层；过渡层；正型多量子阱吸收层；正型阻挡层；正型盖层；欧姆接触层；第一稀释波导层和/或第二稀释波导层,第一稀释波导层设置在收集层远离磷化铟缓冲层的一侧,第二稀释波导层设置在正型多量子阱吸收层远离过渡层的一侧。由此能够得到一种单行载流子光探测器外延片,并具有高速、高饱和吸收功率。
附件下载：  (原始资料备查)

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