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一种扇出封装方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-071-7244-7540
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/48;H01L21/60;H01L25/16类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种扇出封装方法,涉及半导体封装技术领域。用以解决现有扇形结构弊端,实现扇形芯片堆叠和贴装被动器件,避免翘边问题。包括:在Dummy硅片的内部钻孔并电镀出TSV导通线路;在Dummy硅片的上表面刻蚀出凹槽,在凹槽内设置第一芯片,以使第一芯片和Dummy硅片的上表面具有相同的高度;在第一芯片的上表面制备第一次扇出布线层,第一次扇出布线层完全覆盖Dummy硅片的上表面;在第一次扇出布线层的上表面贴装倒装FC芯片,并对FC芯片进行贴膜塑封,以使塑封材料的上表面高于与FC芯片的上表面;在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层,在第二次扇出布线层的上表面制备多个锡球。
附件下载:  (原始资料备查)

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