一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-072-0599-2984
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C23C14/34;C23C14/54类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备。上述双镀源物理气相沉积工艺包括:低偏压制程,以靶材作为镀源,为准直器施加第一偏压并为晶圆施加第三偏压,准直器在第一偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面;射频准直制程,以准直器同时作为射频电极和镀源,为准直器施加射频电压,准直器在射频电压的作用下溅射镀膜粒子至晶圆的表面;高偏压制程,以靶材作为镀源,为准直器施加第二偏压并为晶圆施加第四偏压,准直器在第二偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面;第四偏压大于第三偏压且二者功率的差值不小于200W。采用上述双镀源物理气相沉积工艺能够使晶圆上所需覆盖的结构形成覆盖率高、均匀度高的镀膜。
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