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专利信息

一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-072-3717-6854
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/778;H01L29/201;H01L21/335;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及异质结场效应晶体管技术领域,尤其涉及一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法。本发明提供的外延结构,包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN阻隔层；所述缓冲层包括GaN纳米柱阵列和填充在所述GaN纳米柱阵列间隙的AlN。所述外延结构可以抑制异质结场效应晶体管的电子泄漏和击穿,可以显著改善异质结场效应晶体管电流崩溃现象。
附件下载：  (原始资料备查)

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