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专利信息

一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-075-8971-7324
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/8252;H01L21/28;H01L27/06;H01L21/266;H01L29/45;H03K17/687类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法。本发明制备集成于共源共栅级联型GaN器件的限流装置时,利用光刻技术在晶圆上形成离子注入区域和非离子注入区域,利用光刻胶作为掩膜材料,通过离子注入工艺去除所述离子注入区域处的2DEG,利用光刻技术在所述晶圆上形成欧姆接触区域,在所述欧姆接触区域上制作欧姆接触电极,最后利用热退火技术对所述欧姆接触电极进行处理。本发明的制备工艺与常用有源区隔离工艺兼容,且能够增加器件在不同工作温度下限流装置的相对稳定性及电阻的功率能力,从整体上优化了EMI控制效果。
附件下载：  (原始资料备查)

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