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专利信息

一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-076-7732-2987
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L31/0236;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/054;H01L31/056;H01L31/068;H01L31/18类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法,背接触电池包括具有正面和背面的硅片,在硅片背面设置的第一半导体层,所述硅片的背面为倒金字塔绒面结构,所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层,所述倒金字塔绒面结构具有交替布置的平面和向硅片内凹陷的凹坑,第一掺杂多晶硅层包括多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层,所述多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中均掺杂磷且还掺杂碳和/或氧,多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中掺氧量逐渐递减、掺碳量和掺磷量逐渐递增。本发明能够在保证钝化性能、保证导电性的同时减少背面的寄生吸收,有利于提高短路电流密度和电池转换效率。
附件下载：  (原始资料备查)

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