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低噪声雪崩光电探测器及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-077-6390-9941
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种低噪声雪崩光电探测器及其制备方法,该低噪声雪崩光电探测器包括通过扩散、离子注入依次形成不同掺杂类型的N型欧姆接触层/P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层,且电荷层与P型欧姆接触层/N型欧姆接触层之间的底部形成有衬底;所述电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层与衬底之间形成一个倒梯形凹槽;所述倒梯形凹槽内形成有吸收层。所述P型欧姆接触层和N型欧姆接触层上分别设有P型电极和N型电极。本发明的特点是改进一维纵向雪崩光电探测器为二维横向结构,通过降低倍增层的有效厚度到纳米尺寸,利用纳米倍增区的死区效应降低k值。
附件下载:  (原始资料备查)

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