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一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-077-7940-6598
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/739;H01L29/41;H01L21/331类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提出了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,所述器件包括:衬底,包括终端区和源区,源区包括元胞区和栅区,栅区设置在元胞区的四周;源区多晶硅,横跨在元胞区和栅区上,且源区多晶硅包括源区短多晶硅和源区长多晶硅;终端过渡区,设置在栅区的衬底内,且部分延伸至元胞区的衬底内;栅区接触孔,设置在栅区上的源区多晶硅上;以及源区接触孔,设置在元胞区上,设置在源区多晶硅一侧的源区接触孔的深度为第一深度,设置在源区多晶硅端部的源区接触孔的深度为第二深度,且第二深度大于第一深度。通过本发明提出的绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,能够提高绝缘栅双极型晶体管的短路耐量,提高器件性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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