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一种半导体器件及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-077-7959-2984
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提出了一种半导体器件及其制作方法,属于半导体技术领域,所述器件包括:衬底,包括源区,所述源区包括牺牲区和元胞区,牺牲区设置在源区的横向和纵向方向上,并贯穿源区;外延层,设置在衬底上,且外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度;源区多晶硅,设置在所述元胞区的所述外延层内;悬空多晶硅,设置在所述牺牲区的所述外延层内;P型阱区,设置在所述源区的所述外延层内;N型源区,设置在所述元胞区的所述P型阱区内;第一接触孔,设置在相邻所述悬空多晶硅之间;第二接触孔,设置在相邻所述源区多晶硅以及所述源区多晶硅和所述悬空多晶硅之间。通过本发明提出的半导体器件及其制作方法,能够提高半导体器件的雪崩耐量。
附件下载:  (原始资料备查)

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