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专利信息

低良问题识别方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-083-1316-6851
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/50;H01L21/56;H01L21/66类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请涉及一种低良问题识别方法,包括步骤：将每片第一晶圆切割成至少两个第一晶粒；将全部第一晶圆切割形成的全部第一晶粒划分于至少两个批次中；将各批次单独进行封装；将封装好的各批次依次进行终测；若终测检测出低良批次,定义该低良批次为目标批次,与目标批次包含至少一个来自同一片第一晶圆的第一晶粒的相邻批次为参照批次；读取目标批次中及参照批次第一晶粒的信息；当第一参照晶粒中的失效晶粒占比大于或等于第二阈值时,则初步判断目标批次的低良问题与封装工艺无关；当第一参照晶粒中的失效晶粒占比小于或等于第三阈值时,则初步判断目标批次的低良问题与封装工艺相关。
附件下载：  (原始资料备查)

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