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传感器制备方法及传感器【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-1428-6630
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第B81C1/00;B81B5/00;B81B7/02;B81B7/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及一种传感器制备方法及传感器,传感器包括第一晶圆、第一牺牲层、第二牺牲层、第一导电层及底层结构,第一晶圆形成有可动结构,第一导电层形成有朝向第一晶圆的第一凸起和第二凸起,第一凸起与第一晶圆相抵接,第二凸起与可动结构中的至少部分相对。在沉积第二牺牲层时形成凹陷,然后再沉积第一导电层时形成朝向第一晶圆的第二凸起,第二凸起与第一晶圆中的可动结构相对,而且在后续可动结构震动的过程中,第二凸起能够与可动结构相抵接,以对可动结构产生阻挡作用,从而减小可动结构的震动幅度,避免可动结构因震动幅度过大导致器件层的结构发生过度变形或粘连,进而确保传感器的可靠性。
附件下载:  (原始资料备查)

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