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专利信息

一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-094-9343-3734
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L23/373;C30B28/14;C30B29/36;C30B33/10;H01L29/16;H01L29/04;H01L21/02;H01L21/04;H01L21/683类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供了一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法,涉及半导体材料制备技术领域,所述高热导率3C-SiC多晶基板的热导率为400-450,晶型为100%的3C-SiC,组织为多晶,晶粒为沿厚度方向的柱状晶,晶粒取向为(111)方向,通过化学气相沉积方法,在一定温度和压力下,在Si单晶基底上,且Si单晶基底的表面为完全正轴的Si(111)面,生长晶粒尺寸较大和取向一致的3C-SiC多晶层,消除了晶界对沿厚度方向导热过程中晶格振动的散射作用,增加了沿厚度方向的热导率,使得基于3C-SiC多晶基板的复合3C-SiC基板具有优异的散热性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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