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一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用【异议或纠错】

档案编号: CQ-250-6482-9506
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B33/06;C30B29/36;C30B31/22类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用,所述碳化硅复合基板包括层叠设置的单晶层、中间层与多晶支撑层;所述中间层中包括第一杂质、第二杂质与第三杂质;所述多晶支撑层中包括第一杂质与第二杂质。本发明通过在中间层以及多晶支撑层中均设置第一杂质与第二杂质,降低了单晶层与多晶支撑层之间的电阻率;引入的第一杂质与第二杂质,能够根据需要调节多晶支撑层的热膨胀系数,在满足使多晶支撑层的电阻率需求基础上,能够使多晶支撑层的热膨胀系数与单晶层相当,避免热膨胀系数相差过大造成的热失配。
附件下载:  (原始资料备查)

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