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磁存储阵列及其制备方法、数据访问方法、电子设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-098-4122-9628
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10B61/00;G11C11/16类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种磁存储阵列及其制备方法、数据访问方法、电子设备,属于半导体技术领域。该磁存储阵列包括多个呈阵列布置的磁存储单元,每个磁存储单元包括磁存储器件和写访存晶体管,磁存储器件包括SOT底电极层和磁隧道结MTJ,写访存晶体管的第一端与SOT底电极层的第一端连接。每行的写访存晶体管的栅极连接,形成写入控制线,每列的写访存晶体管的第二端连接,形成第一写电流控制线,每列的SOT底电极层的第二端连接,形成第二写电流控制线,对于所述每行磁存储单元,该行的所述磁隧道结MTJ连接,形成读取位线。每个磁存储单元仅有写访存晶体管,读访存晶体管被移除,所形成的磁存储阵列具有更简单的电路结构、更小的版图占用、更大的存储密度。
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