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磁存储器及其制备方法、电子设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-145-0756-9653
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00;G11C11/16类
授权状态: 已授权
档案内容: 本公开提供一种磁存储器及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,用于解决写入功耗大、易热失效的技术问题。该制备方法在第一电极层上形成间隔设置的磁隧道结,以及与磁隧道结对应的掩膜结构和保护层;依次沉积导电层和第一掩膜层,导电层覆盖保护层的侧壁和顶壁、掩膜结构的顶壁;去除部分第一掩膜层,暴露导电层的顶壁;去除部分导电层,暴露掩膜结构;去除部分第一电极层,导电层间隔设置在磁隧道结沿第一方向相对的两侧,第一电极层位于导电层和磁隧道结的下方。磁隧道结下的第一电极层的厚度较小,以保证较高的翻转效率,其他第一电极层上具有导电层,能够降低串联电阻和写入功耗,并将热量及时导出,降低热失效。
附件下载:  (原始资料备查)

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