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专利信息

传感器制备方法及传感器【异议或纠错】

档案编号： CQ-100-1502-6398
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请涉及一种传感器制备方法及传感器,该方法包括：对第一晶圆进行氧化物沉积,并对第一晶圆的第一侧沉积的氧化物进行图形化刻蚀；在第一晶圆的第一侧进行硅沉积、掺杂构成第一多晶硅层,以作为第一导电层；在第一导电层进行氧化物沉积,并对沉积的氧化物进行图形化刻蚀,得到绝缘层；在绝缘层进行硅沉积、掺杂构成第二多晶硅层,以作为第二导电层；将第二晶圆与第二导电层进行键合；对第一晶圆的第二侧进行金属沉积,得到金属层；对第一晶圆的第二侧进行刻蚀,生成敏感结构,并至少释放部分敏感结构；将密封盖层与第一晶圆的第二侧的键合点进行键合,并露出焊点。无需采用多晶硅外延工艺,工艺简化,降低了制备成本。
附件下载：  (原始资料备查)

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