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一种钝化接触太阳能电池及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-7267-4113
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068类
授权状态: 已授权
档案内容: 提供了一种钝化接触太阳能电池及其制作方法,其包括:在N型硅片衬底的背光面一侧依序形成层叠的PN结和第一隧穿钝化接触层;在衬底的受光面一侧形成第二隧穿钝化接触层;在第二隧穿钝化接触层中形成第三隧穿钝化接触层,且在N型硅片衬底中形成N+掺杂区;在第一隧穿钝化接触层上形成第一氮化硅层,且在第二隧穿钝化接触层和第三隧穿钝化接触层上形成第二氮化硅层;形成第一电极和第二电极。所述制作方法通过将硼掺杂多晶硅层设置于电池的背光面一侧,而将磷掺杂多晶硅层设置于电池的受光面一侧,有利于电池的受光面一侧的掺杂多晶硅层的厚度薄化,从而大幅度降低受光面一侧的掺杂多晶硅层的光寄生效应,进而有利于提高电池的效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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