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磁性电子器件的制作方法及磁性电子器件【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-7547-4562
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种磁性电子器件的制作方法及磁性电子器件,属于磁性电子器件技术领域。该制作方法包括:在半导体衬底上,沉积第一膜堆;制作第一磁隧道结MTJ;沉积包裹第一磁隧道结MTJ的介质层,形成待磨磁性器件;对待磨磁性器件进行研磨,直至介质层被研磨至第一磁隧道结MTJ的第一预设位置,介质层被研磨的速率大于第一磁隧道结MTJ被研磨的速率;在露出的介质层上制作向外接电的通孔,并形成最终的磁性电子器件。本发明实施例基于介质层被研磨的速率大于第一磁隧道结MTJ被研磨的速率,利用CMP工艺,对介质层和第一磁隧道结MTJ进行研磨,使介质层被研磨至第一磁隧道结MTJ的第一预设位置,暴露出覆盖层或SOT轨道层,极大地降低了磁性电子器件制作的工艺成本和难度。
附件下载:  (原始资料备查)

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