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一种基于交换偏置的磁存储器单元及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-101-8028-3822
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00;H10N50/01类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请实施例涉及磁性存储器技术领域,公开了一种基于交换偏置的磁存储器单元及其制造方法、数据写入方法,包括依次紧密排列的:顶电极、第一MTJ、加热器、第二MTJ、底电极;第一MTJ依次包括:第一钉扎层、第一参考层、第一隧穿势垒层、第一自由层、第一反铁磁层(AFM),第一AFM与加热器连接;第二MTJ依次包括:第二钉扎层、第二参考层、第二隧穿势垒层、第二自由层、第二AFM,第二钉扎层与底电极连接,第二AFM与加热器连接;通过设置加热装置,提高电流焦耳热,促进交换偏置,有利于器件微缩至更小尺寸,提高存储密度,将两个MTJ串联,一个单元中设置两个比特位,通过施加不同的电流脉冲,实现四种不同的存储状态控制。
附件下载:  (原始资料备查)

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