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专利信息

正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-102-0769-9203
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0216;C23C14/08;C23C16/40类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明属于背接触电池制备技术领域,具体涉及一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法,方法包括：S101、在双面抛光的硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层；S102、在背面进行第一刻蚀开口,形成第二半导体开口区；S103、通过制绒清洗；S104、在正面沉积第一本征非晶硅层,并在背面沉积第二半导体层；S105、在背面的第二半导体层上进行第二刻蚀开口；S106、在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层,并在正面直接沉积第一透明导电膜层。本发明能够有效避免电池产生PID效应而导致的功率衰减问题,能减少一次PECVD镀膜,有效降低正面反射率、反射损耗,膜层质量高,提高转换效率。
附件下载：  (原始资料备查)

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