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专利信息

具有阱垒In组分渐变GaN/InGaN量子阱LED外延结构【异议或纠错】

档案编号： CQ-102-7994-1882
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请公开了一种具有阱垒In组分渐变GaN/InGaN量子阱LED外延结构,包括自下而上依次连接的衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、GaN/InGaN超晶格层、低温GaN层、In组分渐变GaN/InGaN量子阱层、EBL层和p型GaN层；In组分渐变GaN/InGaN量子阱层包括由下自上依次交替层叠设置的n个量子阱和n个量子垒；由下自上的第一个量子阱至第n-1个量子阱中,量子阱中的In组分依次上升；第n个量子阱中的In组分低于第n-1个量子阱中的In组分；当第x个量子阱中的In组分超过0.35时,对应的第x个量子垒为InGaN材料；当第x个量子阱中的In组分不超过0.35时,对应的第x个量子垒为GaN材料；其中,n为大于零的自然数,n≥x＞0。通过上述方案可生长出高质量长波长的AlGaInN体系LED,具有较高晶体质量的InGaN/GaN量子阱结构。
附件下载：  (原始资料备查)

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