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半导体器件的制备方法及其结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-107-8229-5826
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/335;H01L29/778类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及其结构,该方法包括:在衬底上制备缓冲层,并在缓冲层上由下而上依次外延形成第一薄膜层和第二薄膜层;在第二薄膜层的上表面由下而上依次沉积第一介质层和第二介质层;通过光刻和刻蚀工艺将第二介质层制备为第一结构,第一结构用于制备半导体器件的栅极;以第一结构为掩膜刻蚀第一介质层,并停止在第二薄膜层的上表面以形成源漏区域,源漏区域位于第一结构的两侧,源漏区域用于制备半导体器件的源漏极,从而通过第一结构中的刻蚀后的第二介质层、第一介质层和第二薄膜层形成一个在第一方向上的三明治结构,并通过该三明治结构中各层的厚度关系实现控制或缩小栅极的制备尺寸。
附件下载:  (原始资料备查)

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