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专利信息

一种亚阈值SRAM读写辅助电路【异议或纠错】

档案编号： CQ-120-4426-0943
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第G11C11/419类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供的一种亚阈值SRAM读写辅助电路,包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、NMOS晶体管、电容和反相器。第一PMOS晶体管栅极连接读辅助控制信号,用于连接电源的正极和VDDWL。第二PMOS晶体管栅极连接读加速控制信号,用于连接电源的正极和VDDWL。第三PMOS晶体管栅极连接输入信号,用于连接VDDWL和字线。第四PMOS晶体管MP4栅极连接读辅助控制信号,用于连接电源的地线和字线。NMOS晶体管栅极连接输入信号,用于连接电源的地线GND。电容上极板连接字线,下极板连接反相器的输出。反相器输入为写辅助控制信号。本发明在保证读稳定性的前提下,实现了SRAM的快速访问。并且利用电容的耦合作用抬高字线使字线电压高于电源电压,实现写辅助。
附件下载：  (原始资料备查)

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