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一种热电器件的p型碲化铋晶片表面粗化的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-131-2777-2152
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N10/01;H10N10/852;C25F3/12类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种热电器件的p型碲化铋晶片表面粗化的制备方法,本发明采用电解工艺,利用电场驱动钠离子嵌入p型碲化铋晶片(BiSbTe)中的晶胞的Te-Te层间,致使晶格坍塌开裂,导致材料局部剥离脱落,从而达到表面粗化的目的;避免了传统喷砂处理对晶片造成的损害,且相比酸腐蚀处理,本发明的p型碲化铋晶片表面粗化处理效率高,适合大规模生产,且电解液对环境及操作人员不会产生伤害;该绿色环保的p型碲化铋晶片表面处理方法提高p型碲化铋晶片的基体的表面粗糙度,增强其与镀层间的结合强度,延长碲化铋型的热电器件的服役寿命。
附件下载:  (原始资料备查)

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