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磁隧道结的制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-132-2333-5799
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种磁隧道结的制作方法,包括:在衬底上采用薄膜沉积、光刻、刻蚀工艺制作圆柱体磁隧道结;旋转圆柱体磁隧道结,采用离子束刻蚀圆柱体磁隧道结的侧壁,并控制单位时间发射离子的数量;其中,当离子束单位时间发射离子的数量为恒定的第一数量时,圆柱体磁隧道结的旋转速度为随时间变化的第一转速,第一转速的变化周期为第一周期,经历两个第一周期,圆柱体磁隧道结旋转一周,当第一转速变化至最大转速时,离子束刻蚀的位置对应目标椭圆磁隧道结的椭圆形长轴端点,当第一转速变化至最小转速时,离子束刻蚀的位置对应目标椭圆磁隧道结的椭圆形短轴端点。本发明刻蚀较简单,无需图形传递,避免了因图形传递造成的椭圆磁隧道结变形的问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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