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磁隧道结单元的制作方法及存储器【异议或纠错】

档案编号: CQ-132-7455-8243
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种磁隧道结单元的制作方法及存储器,该方法包括:在衬底上沉积底电极层、磁隧道结膜堆、金属硬掩膜层与介质硬掩膜层;在介质硬掩膜层上涂覆光刻胶层,并曝光形成光刻胶图案;以图案化光刻胶为掩膜,刻蚀介质硬掩膜层,并形成小于图案尺寸的微缩硬掩膜;以微缩硬掩膜为掩膜,刻蚀金属硬掩膜层与磁隧道结膜堆至底电极层。本发明通过刻蚀光刻胶下层的介质硬掩膜层并形成小于图案尺寸的微缩硬掩膜,并以尺寸较小的微缩硬掩膜作为掩膜,刻蚀金属硬掩膜层与磁隧道结膜堆,直至底电极层,从而形成磁隧道结单元,该制作方法,不依赖于高精度光刻机,无需通过修饰图案化光刻胶微缩尺寸,光刻胶的厚度不会影响磁隧道结单元的微缩。
附件下载:  (原始资料备查)

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