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半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-232-8864-4651
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法。上述堆叠式复合沟槽结构的制作方法将堆叠式复合沟槽结构按照多级沟槽结构逐级进行制作,在第一级沟槽结构制作时,先在基底上制作沟槽,在沟槽中填充形成半导体层,随后各级沟槽结构制作时,先在前一级的沟槽结构的基础上生外延层,再在外延层上制作露出前一级的半导体层的沟槽,并且,前后两级中沟槽的宽度不同,然后在沟槽中填充形成半导体层,如此逐级形成堆叠的宽度变化的半导体层。上述制作方法能够通过常规工艺的组合制作得到堆叠式复合沟槽结构,工艺流程简单,材料选择范围更广。
附件下载:  (原始资料备查)

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