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半导体器件制备方法及监测光刻工艺化学品杂质的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-232-8867-4249
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G03F7/20;H01L21/66类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种监测光刻工艺化学品杂质的方法,包括对化学品中的疏水性杂质进行监测的方法,具体为:提供裸晶圆;于裸晶圆的表面涂布一层涂层,涂层为六甲基二硅氮烷涂层,以使裸晶圆表面呈疏水状态;于涂层表面涂布所需监测的化学品;使用量测机台对在涂层上涂布有化学品的裸晶圆进行量测,以监测化学品中的疏水性杂质。裸晶圆表面吸附水分子,通过在裸晶圆表面涂布一层六甲基二硅氮烷涂层HMDS,HMDS取代了水与裸晶圆表面的氧化层之间粘接,形成易于吸附疏水性物质的涂层,从而在该涂层上涂布化学品后,可以有效的吸附化学品中的疏水性杂质,同时也不会在监测过程中引入其他半导体产品不需要的元素,防止二次污染的可能。
附件下载:  (原始资料备查)

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