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一种NOR型存储组及其制备方法、存储芯片【异议或纠错】

档案编号: CQ-246-6923-1333
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10B41/30;H10B41/40;H10B43/30;H10B43/40类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种NOR型存储组及其制备方法、存储芯片。NOR型存储组包括:衬底及位于衬底上的多个存储单元组;每个存储单元组包括两个存储单元,存储单元包括漏极、源极、导电沟道、侧栅极和存储结构;漏极与导电沟道远离衬底的一端连接,源极与导电沟道靠近衬底的一端连接;同一个存储单元组内的两个存储单元的侧栅极分别位于导电沟道的两侧;存储组中所有存储单元的导电沟道由一片半导体鳍提供;半导体鳍包括多个相连接的柱体,每一存储单元组对应至少一个柱体;在一个存储单元组中,至少一个柱体位于两个侧栅极之间;存储结构位于侧栅极与导电沟道之间,存储结构围绕半导体鳍设置。本发明提升了NOR型存储组的编程效率和擦除效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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