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砷化镓加长晶体生长热场及工艺技术【异议或纠错】

档案编号: CQ-248-5634-9487
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/42;C30B13/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了砷化镓加长晶体生长热场及工艺技术,包括石墨支座,所述石墨支座的内部炉腔设有多个依次竖直拼接的独立分段炉膛,所述石墨支座上放置有呈圆柱型设置的热解氮化硼坩埚,所述解氮化硼坩埚的顶端设有封堵塞,所述热解氮化硼坩埚内设有多个入料槽。本发明不仅单炉生长周期增加10-20%,单炉生长晶体长度增加50%以上,而且载流子浓度在晶体横向和纵向的分布更均匀,同时位错浓度更低,分布更均匀。
附件下载:  (原始资料备查)

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