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一种磷化铟半导体材料的合成工艺【异议或纠错】

档案编号: CQ-279-3465-2045
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B11/00;C30B29/40;C30B28/14类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种磷化铟半导体材料的合成工艺,属于半导体材料制备技术领域,将高纯铟与高纯磷分别置于封闭的石英管内的两端,升温使磷蒸汽与铟金属熔体反应生成磷化铟,盛铟石英舟表面形成有磷化-氧化的铟复合薄膜,在石英管内的铟金属区和红磷区间设置石英隔板,提高了磷蒸汽的扩散,同时也降低了硅沾污。
附件下载:  (原始资料备查)

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