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碳化硅外延结构、脉冲式生长方法及其应用【异议或纠错】

档案编号: CQ-248-6297-7361
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B25/20;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/36类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种碳化硅外延结构、脉冲式生长方法及其应用,采用化学气相沉积法在碳化硅单晶衬底上制造包含碳化硅外延层的碳化硅单晶晶片,当生长反应室内达到碳化硅外延层的生长条件时,在反应室内通入碳源和硅源,通过脉冲的方式每间隔脉冲时间交替改变碳源和硅源的比例,使得在相邻的第一时间段和第二时间段内分别处于富Si和富C氛围下采用CVD法外延生长碳化硅外延层,直至碳化硅外延层生长结束。从而结合CVD法和ALD法各自的优势,生长出厚度和浓度均匀性良好的碳化硅外延结构。
附件下载:  (原始资料备查)

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