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一种高质量SiC栅氧层的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-248-6297-8780
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/04类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种高质量SiC栅氧层的制备方法,包括以下步骤:(1)利用SiH-4气体高温热分解反应在清洁的SiC衬底结构表层区域沉积一层致密的Si薄膜层;(2)在氧化气体环境下,对步骤(1)沉积的Si薄膜层进行高温氧化,形成一层SiO-2薄膜层;(3)在高温环境下对步骤(2)形成的SiO-2薄膜层进行退火,制备高质量致密的栅氧层结构。本发明通过SiH-4在SiC表面生长沉积Si薄膜层,通过对Si薄膜层高温氧化生成高质量栅氧化层,避免氧化气体与从SiC直接反应导致SiC/SiO-2界面处生成大量的界面态缺陷,大幅度改善了栅氧界面态,同时提高了沟道载流子迁移率和导通效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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