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专利信息

一种压电衬底结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-250-6485-7797
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10N30/00;H10N30/05类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种压电衬底结构及其制备方法,压电衬底结构包括：基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层；所述键合反应层为不连续的金属氧化物层；所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置；所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间；或者,位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间；或者,位于所述第二沉积层与所述压电层之间。本发明可以增加键合界面的附着强度,使得键合强度大于1.5J/m～2；还有利于提升波的反射,制备所得的声表面波滤波器,声波损失率小于0.005%,有助于提高器件的稳定性和性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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