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专利信息

单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅【异议或纠错】

档案编号： CQ-250-6486-1294
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C30B29/36;C30B11/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请涉及半导体材料技术领域,具体涉及单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅。单晶碳化硅长晶原料,被配置为Si-xCr-yAl-z(M+AlN)-h。单晶碳化硅长晶方法,依托于长晶装置,长晶装置包括腔体；腔体内设有石墨坩埚；石墨坩埚上方设有籽晶杆；籽晶托,设于所述籽晶杆一端,籽晶托上设有碳化硅籽晶；加热装置,用于提供晶体生长所需温度；抽真空装置,用于提供晶体生长所需真空环境；石墨坩埚内盛放的长晶原料为上述长晶原料。单晶碳化硅,由上述长晶方法制得。长晶过程中,通过铝的持续供应,减少溶剂夹杂及二维成核,使单晶碳化硅生长面长时间维持光滑,可进行持续生长,能够生长大厚度的高质量单晶碳化硅晶体。
附件下载：  (原始资料备查)

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