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专利信息

多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底【异议或纠错】

档案编号： CQ-250-6488-7733
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C09G1/02;B24B1/00;B24B37/04;B24B37/10;H01L21/304;C09K3/14;B82Y30/00;B82Y40/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请涉及半导体材料加工技术领域,具体涉及多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底。抛光剂包括氧化剂、分散剂、磨料a和磨料b；磨料a的硬度介于多晶碳化硅的氧化物和多晶碳化硅本体的硬度之间；磨料b的硬度高于多晶碳化硅本体。抛光方法包括以下步骤：A、选取多晶碳化硅衬底,所述多晶碳化硅衬底不同晶粒的晶向最大夹角＜10°；B、对多晶碳化硅衬底表面进行化学机械抛光,至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜1nm；C、以等离子体束扫描步骤B抛光后的多晶碳化硅衬底表面,至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜0.5nm,完成多晶碳化硅衬底抛光。抛光而得的多晶碳化硅衬底表面粗糙度能够满足键合工艺的要求。
附件下载：  (原始资料备查)

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