北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 访客留言 申请认证

信用网址： 212121774.11315.com   

有限责任公司(自然人投资或控股) 成立历史第5 年

专利信息

一种3C-SiC单晶体的制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-250-6489-1576
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C30B25/18;C30B29/36;C30B33/08类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,涉及半导体材料制备技术领域,所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合,去除Si单晶基底,进一步在高于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题,3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h,制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm,且(111)峰的半高宽小于50arcsec。
附件下载：  (原始资料备查)

相关专利信息信息

评论

您需要登录后才可以发表评论，请 登录 或 注册

打分

登录

说明：
一、所有信息力求客观、真实：以上信息由全国各级政府职能部门、各行业协会（社团组织）、金融机构、主流媒体、信息主体或实名制下的广大消费者（包括交易对方、员工等）客观提供，不含有本征信平台的任何主观评价；
二、信息异议机制：欢迎大家对有异议的信息及时提出，我们将按照《绿盾全国企业征信管理办法》规定对异议进行核实、修正，确保客观、公平；
三、尊重发布者权益，永不"删贴"：对于符合国家法律、法规和本征信平台规定的每一条信息，都将客观记录于企业信用档案，参与信用分值计算，并长期保存。

分享到:

更多>>视频联播

更多>>绿盾征信系统规则

绿盾在线
×
商务合作
企业服务
征信合作

 

=合作留言=
绿盾业务合作
×
  • 马先生
    15652211315
  • 黄先生
    15652011315