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有限责任公司(港澳台投资、非独资) 成立历史第

底层芯片及对应的半导体功率器件叠芯结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-251-3009-5976
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/528;H01L23/538;H01L25/07;H01L29/417类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种功率半导体芯片叠芯结构,用于功率半导体芯片的紧凑封装产品。叠芯结构中,底层芯片上表面的源极金属需要电气连接到顶层芯片下表面的漏极金属;底层芯片的上表面设置有源极连接金属区和漏极连接金属区;底层芯片的源极连接金属区与底层芯片内部的源极金属相连接;底层芯片的漏极连接金属区与底层芯片内部的漏极金属连接;底层芯片源极连接金属区与底层芯片漏极连接金属区在底层芯片表面间隔布置;绝缘层覆盖在源极连接金属区和漏极连接金属区表面;绝缘层上设置有源极连接金属区开窗和漏极连接金属区开窗;在叠芯区域,只设置源极连接金属区的开窗结构;在叠芯区域外,只设置漏极连接金属区的开窗结构。
附件下载:  (原始资料备查)

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