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一种研磨的氮化硅瓷片【异议或纠错】

档案编号: CQ-252-9481-9681
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C04B35/596;C04B35/622;C04B35/80;C04B35/81;C04B35/634;C04B35/64;B24B37/04;B24B37/08;B24B37/34类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及半导体技术领域,具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤:步骤一:将α-氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内,球磨混合均匀,得到分散液;步骤二:(1)将分散液离心,过滤出沉淀物,经干燥、研磨、过筛,得到粉料;(2)将粉料置于模具中,压制成型,保温一段时间后,得到氮化硅陶瓷坯体;步骤三:将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结,得到氮化硅陶瓷;步骤四:对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨,得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大,在半导体领域中具有更广泛的应用。
附件下载:  (原始资料备查)

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