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一种覆铝氮化铝陶瓷基板双面散热功率模块的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-252-9483-5417
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/48;H01L21/60类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及半导体技术领域,具体为一种覆铝氮化铝陶瓷基板双面散热功率模块的制备方法;包括以下步骤:S01:取覆铝氮化铝陶瓷基板,化学镀铜,得镀铜基板;取两片镀铜基板分别作为上基板、下基板;S02:取上基板,在多个芯片焊接区域进行冷喷铜,得冷喷铜层;再经研磨高度补偿,得预处理铜层,得预处理上基板;S03:取下基板,印刷纳米银焊膏、将SiC芯片贴置在芯片区域、在相应位置放置功率端子及信号端子、进行焊接,得焊接下基板;S04:将引线键合,完成SiC芯片栅极区与焊接下基板功率互连;S05:二次印刷纳米银焊膏及焊接;S06:塑封,得覆铝氮化铝陶瓷基板双面散热功率模块。
附件下载:  (原始资料备查)

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