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专利信息

基于硅基柱状体阵列的CIS传感器、制备方法及应用【异议或纠错】

档案编号： CQ-261-5466-2950
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L27/146类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种基于硅基柱状体阵列的CIS传感器、制备方法及应用,属于光电传感器技术领域,能够提高电荷的收集效率和CIS传感器整体量子效率,有效提高探测面积和占空比,大大减少相邻像素件的串扰,提高成像质量；该传感器包括位于底部的硅晶圆层、位于顶部的导电薄膜层和位于所述硅晶圆层和所述导电薄膜层之间的二维硅基微/纳柱阵列；所述二维硅基微/纳柱阵列包括若干竖向设置外周具有一定光滑度的硅基柱状体,所述硅基柱状体的底端与所述硅晶圆层上表面连接,顶端与所述导电薄膜层的下表面连接；不同硅基柱状体之间的间隙由空气填充；每个所述硅基柱状体均具有竖向的p-i-n结构。
附件下载：  (原始资料备查)

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