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一种干法刻蚀方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-261-8513-7509
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/311;C09K13/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明属于半导体制造技术领域,尤其涉及一种干法刻蚀方法,解决了干法刻蚀中易出现微沟槽缺陷的问题,方法包括:在具有台阶结构的半导体元器件基底上制备沉积层;利用预设比例的刻蚀气体,对沉积层进行侧墙刻蚀,刻蚀气体包括抑制性碳氟气体;达到刻蚀终点时,停止刻蚀以形成用于隔离离子注入的沟道,其中,刻蚀终点在基底上。本发明能够减轻微沟槽的瑕疵程度或消除微沟槽。
附件下载:  (原始资料备查)

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