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专利信息

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-261-8515-8500
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法。该结构包括：从下至上依次设置的n+型碳化硅衬底、n-型漂移层、n型电流传输层；在n型电流传输层的顶部两侧分别从外至内依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层,栅氧化层包裹有多晶硅栅；栅氧化层、p+型基区以及n+型源区的底部设有p+型保护区；n型电流传输层的上方设有隔离介质层,隔离介质层的两侧分别设有接触电极,隔离介质层的上方设有源电极,n+型碳化硅衬底的背面设有漏电极。通过上述方式,本发明能够改变器件沟道电流的方向,使得沟道电流方向上没有设置沟槽保护结构,通过引入电流传输层减少沟槽保护结构对沟道电流的影响,获得更低的比导通电阻。
附件下载：  (原始资料备查)

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