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专利信息

一种垂直纳米环栅互补MOS器件金属栅和隔离技术集成工艺设计【异议或纠错】

档案编号： CQ-268-5368-1040
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/8238;H01L27/092类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种垂直纳米环栅互补MOS器件金属栅和隔离技术集成工艺设计,隔离技术包括在P型衬底形成N型埋层和P型埋层,然后生长N型外延等步骤。集成工艺设计包括衬底、N型埋层102、P型埋层101、N型外延、P型外延、高k栅介质层103、金属栅104、氧化薄膜105、多晶薄膜106、STI槽底部上下隔离P+注入107、VNMOS bulk端/VPMOS源端P+注入201、VNMOS源漏端/VPMOS bulk端N+注入202、器件-金属层间ILD介质层203、钨塞204、VPMOS漏端P+注入205和金属互连薄膜206。本发明通过垂直纳米环栅金属栅dummy假栅技术与N型埋层-P衬底隔离结构实现了工艺集成兼容,既降低了垂直纳米环栅VNMOS漏电极区的寄生电阻和电容,又降低了衬底噪声的影响,还有效提高了垂直纳米环栅器件的纵向隔离可靠性。
附件下载：  (原始资料备查)

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