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专利信息

一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管【异议或纠错】

档案编号： CQ-268-5657-4787
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/739;H01L29/423类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管,该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时,通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒,增强漂移区的空穴,增加对应的载流子存储效应,降低导通压降,在关断时,通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴,提高了空穴的抽取速度,降低关断产生的损耗。
附件下载：  (原始资料备查)

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