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专利信息

一种金属氧化物半导体场效应晶体管【异议或纠错】

档案编号： CQ-268-5657-5110
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/78;H01L29/06类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管,该半导体场效应晶体管通过第一导电类型硅材料异质结区域、重掺杂第二导类型硅材料屏蔽区域、重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅区域和虚拟栅极氧化层与第一导电类型电流传导区域之间形成异质结导电结构,因碳化硅/硅的异质结结构的电子势垒低于体二极管,因此电流优先从异质结导电结构流过。本申请提供的金属氧化物半导体场效应晶体管还存在虚拟栅极,进一步降低了异质结的电子势垒,优先通过异质结沟道导电结构进行反向导通,当半导体场效应晶体管反向导电时,异质结的电子势垒低,从而降低反向导通电压,改善反向导通性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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