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专利信息

一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统及方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-268-5657-9182
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第G01R31/00;G01R31/12类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统,其包括：控制模块用于提供第二控制信号,并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET,并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭,并接收第一数据信号,并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
附件下载：  (原始资料备查)

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