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专利信息

一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统及方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-268-5657-9656
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第G01R31/26类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统,其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号,并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET,并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭,并接收参数信号,并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
附件下载：  (原始资料备查)

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