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专利信息

一种GaAs晶片的抛光组合物及其制备方法和应用【异议或纠错】

档案编号： CQ-271-5277-8789
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C09G1/02;H01L21/306类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种环保高效的GaAs晶片的抛光组合物,所述抛光组合物由以下重量百分比的原料组成：抛光剂磨料0.8%-40%；碱性化合物0.01%-10%；氧化剂1%-25%；氧化稳定剂0.001%-0.5%；表面活性剂0.001%-1%；余量为去离子水,此抛光组合物的pH值为7.5-9.1。本发明抛光组合物采用绿色环保的氧化剂,解决了含次氯酸钠类氧化剂抛光液长期使用对人体的损害和环境污染问题；同时,在pH7.5-9.0和氧化稳定剂的配合下,使抛光组合物具有高的材料移除速率,对设备和环境友好等特点。
附件下载：  (原始资料备查)

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