专利信息

一种SiCMOSFET器件【异议或纠错】

档案编号：	CQ-280-5443-9139
档案文号：	需要登录以后查看
专利权人：
发布时间：
档案分类：	专利权
分类号：	第H01L29/78;H01L29/06类
授权状态：	已授权
档案内容：	本发明涉及一种SiC MOSFET器件,通过在SiC MOSFET中引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域,可有效降低器件反向导通时的开启电压,并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单,与传统SiC MOSFET制备工艺兼容,可实现高性能、批量化的SiC MOSFET器件生产。
附件下载：	(原始资料备查)

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